qiuhong0888
New Member
Link tải luận văn miễn phí cho ae Kết Nối
MỤC LỤC
CHƯƠNG 1 - TỔNG QUAN 1
1.1.Giới thiệu các linh kiện bán dẫn 1
1.1.1. Diode công suất 3
1.1.2. SCR (Thyristor) 7
1.2. Máy điện một chiều 11
1.2.1. Cấu tạo máy điện một chiều 12
1.2.2. Nguyên lý làm việc 13
1.2.3. Từ trường và sức điện động của máy điện một chiều .Từ trường của máy điện một chiều……………………………………………………………………………..14
1.2.4. Công suất điện từ . Mômen điện từ của máy điện một chiều 16
1.2.5.Tia lửa điện trên cổ góp và biện pháp khắc phục 17
1.2.6. Phân loại máy điện một chiều 18
1.2.7. Phân loại động cơ điện một chiều 21
1.3. Bộ chỉnh lưu 25
1.3.1. Các bộ chỉnh lưu điều khiển chứa Diode- quy tắc phân tích mạch chỉnh lưu tổng quát 26
1.3.2. Bộ chỉnh lưu cầu một pha bán phần 27
CHƯƠNG 2 - HỆ TRUYỀN ĐỘNG ĐỘNG CƠ DC –BỘ CHỈNH LƯU CẦU MỘT PHA ĐIỀU KHIỂN BÁN PHẦN 29
2.1. Hệ thống truyền động điện và các phần tử - định nghĩa 29
2.2. Các phương pháp điều khiển tốc độ động cơ DC 32
2.2.1. Các thông số đánh giá chất lượng 32
2.2.2. Đặc tính cơ tĩnh của động cơ một chiều 33
2.3. Khởi động động cơ 40
2.4. Các trạng thái hãm 40
CHƯƠNG 3 - HỆ THỐNG BỘ CHỈNH LƯU-ĐỘNG CƠ MỘT CHIỀU 43
3.1. Các thông số đánh giá chất lượng của hệ 43
3.2. Điện áp ngõ ra bộ chỉnh lưu ở chế độ dòng liên tục 45
3.3. Động cơ kích từ độc lập với bộ chỉnh lưu 46
3.4. Động cơ kích từ nối tiếp hoạt động với bộ chỉnh lưu 48
CHƯƠNG 4 - MÔ PHỎNG BẰNG PHẦN MỀM PSIM 49
CHƯƠNG 5 - THIẾT KẾ PHẦN CỨNG 55
5.1. Mạch kích 55
5.2. Mạch động lực 60
CHƯƠNG 6 - LẬP TRÌNH ĐIỀU KHIỂN 61
6.1. Giới thiệu tóm tắt các đặc trưng của DSP TMS320x240 61
6.2 .Chương trình điều khiển 63
CHƯƠNG 7 - KẾT QUẢ ĐẠT ĐƯỢC 66
CHƯƠNG 1
TỔNG QUAN
1.1.Giới thiệu các linh kiện bán dẫn
Bán dẫn là chất mà trong nhiệt độ bình thường nó có độ dẫn điện giữa chất dẫn điện và chất cách điện. hiện nay bán dẫn thường dùng là silic, silic tinh khiết có cấu trúc tinh thể rất bền vững. Ở nhiệt độ thấp , nó không có các điện tích tự do.Vì thế silic hoạt động như chất cách điện.
Hỗn hợp silic với các nguyên tố khác có ảnh hưởng rất lớn đến độ dẫn điện của silic. Một của hỗn hợp silic chứa thừa điện tích tự do và các điện tích này trở thành hạt dẫn điện, hỗn hợp này tạo thành chất bán dẫn loại N. Một số hỗn hợp của silic thiếu điện tử: chúng có lỗ hổng. Các lỗ hổng tạo thành thành phần dẫn điện chủ yếu. Hỗn hợp loại này tạo thành bán dẫn loại P với độ dẫn điện loại P.
Lớp tiếp xúc PN: là vùng trong bán dẫn mà vùng dẫn điện loại P được chuyển thành loại N.
Đặc tính V-A: biểu diễn quan hệ giữa dòng điện đi qua hai cực của linh kiện và điện áp đặt giữa các cực đó. Các giá trị điện áp và dòng điện này được hiểu là giá trị điện áp và dòng một chiều không đổi.
Phân loại linh kiện bán dẫn theo khả năng điều khiển
Các linh kiện bán dẫn công suất trong lĩnh vực điện tử công suất có hai chức năng cơ bản: đóng và ngắt dòng điện đi qua nó. Trạng thái linh kiện dẫn điện (đóng ) là trạng thái linh kiện có tác dụng như một điện trở rất bé ( gần bằng không). Độ lớn dòng điện đi qua linh kiện phụ thuộc trạng thái mạch điện lúc linh kiện đóng và độ sụt áp trên linh kiện nhỏ không đáng kể ( tối đa khoảng vài volt).
Trạng thái linh kiện không dẫn điện ( ngắt dòng điện) là trạng thái linh kiện có tác dụng trong mạch như một điện trở rất lớn. Dòng điện đi qua linh kiện có độ lớn không đáng kể; độ lớn điện áp đặt lên linh kiện phụ thuộc vào trạng thái hoạt động của mạch điện bên ngoài.
Do đó, linh kiện bán dẫn hoạt động với hai chế độ làm việc đóng và ngắt dòng điện được xem là lý tưởng nếu ở trạng thái dẫn điện nó có độ sụt áp bằng không và ở trạng thái không dẫn điện, dòng điện qua nó bằng không.
Các linh kiện bán dẫn có thể chuyển đổi trạng thái làm việc của mình, từ trạng thái không dẫn điện ( ngắt) sang trạng thái dẫn điện (đóng) và ngược lại thông qua tác dụng kích thích của tín hiệu lên cổng điều khiển ( ngõ vào) của linh kiện. ta gọi linh kiện có tính điều khiển. Tín hiệu điều khiển có thể tồn tại dưới dạng dòng điện, điện áp, ánh sáng với công suất thường nhỏ hơn so với công suất của nguồn và tải.
Trong trường hợp linh kiện không chứa cổng điều khiển và quá trình chuyển trạng thái làm việc của linh kiện xảy ra dưới tác dụng của nguồn công suất ở ngõ ra, ta gọi linh kiện thuộc loại không điều khiển ( diode, diac).
Nếu thông qua cổng điều khiển, tín hiệu chỉ tác động đến chức năng đóng dòng điện mà không thể tác động làm ngắt dòng điện qua nó, ta gọi linh kiện không có khả năng kích ngắt ( thyristor, triac).
Ngược lại, các linh kiện có thể thay đổi trạng thái từ dẫn điện sang ngắt điện và ngược lại thông qua tác dụng của tín hiệu điều khiển, được gọi là linh kiện có khả năng kích ngắt ( self commutated device) như transistor ( BJT, MOSFET, IGBT ) , GTO ( gate-turn-off thyristor ) , IGCT,MCT,MTO.
Tín hiệu điều khiển lên mạch cổng điều khiển chỉ có tác dụng khi trạng thái điện áp đặt vào hai cực chính ở ngõ ra của linh kiện có chiều phân cực và độ lớn phù hợp. Dựa vào chức năng đóng và ngắt dòng điện và theo khả năng điều khiển các chức năng này, các linh kiện bán dẫn được chia làm ba nhóm chính:
- Nhóm 1: gồm các linh kiện không điều khiển như diode, diac
- Nhóm 2: gồm các linh kiện điều khiển kích đóng được như thyristor,triac
- Nhóm 3: gồm các linh kiện điều khiển kích ngắt được như transistor ( BJT,MOSFET,IGBT ) , GTO.
Ngoài ra , dạng mạch phức hợp gồm thyristor và bộ chuyển mạch có khả năng đóng dòng điện cũng như ngắt dòng điện qua nó nhờ tác dụng của tín hiệu điều khiển lên các cổng điều khiển .
Các linh kiện bán dẫn bao gồm: Diode,BJT,IGBT, SCR,GTO,MOFET, DIAC, TRIAC. Trong đồ án này ta sẽ xét các loại bán dẫn công suất lớn như SCR, GTO, TRIAC.( Đặc biệt là thyristor(SCR) dùng để thiết kế bộ chỉnh lưu cầu một pha điều khiển bán phần )
1.1.1. Diode công suất
H 1.1
Mô tả và chức năng:
Diode được cấu tạo thành bởi mối nối PN. Lớp p thiếu điện tử và chứa phần tử mang điện dạng lổ hỏng. Tương tự , lớp n thừa điện tử. Các lớp pn trong cấu trúc diode đạt được bằng cách thêm tạp chất vào trong phiến sillic. Để tạo quá trình dẫn điện đi qua mối nối p_n, các hạt mang điện được tạo thành và tham gia quá trình dẫn điện, một điện áp được áp dụng sao cho lớp p mắc vào cực dương và lớp n mắc vào cực âm Lực điện trường làm cho lỗ hỏng từ lớp p di chuyển vượt qua mối nối p_n để vào lớp n và các điện tử di chuyển từ lớp n vào lớp p.
Trường hợp phân cực ngược lại , các lỗ hỏng và điện tử bị kéo ra xa khỏi mối nối và tạo thành sức điện động bên trong của mối nối. Sức điện động này có tác dụng không cho dòng điện tích đi qua diode _diode bị ngắt.
Chiều thuận và chiều nghịch : nếu như diode ở trạng thái dẫn thì nó chịu tác dụng của điện áp thuận uF và cho dòng điện thuận iF đi qua.
Đặc tính V_A
Đặc tính V_A của diode vẽ ở H 1.1 gồm hai nhánh. Nhánh thuận tương ứng với trạng thái dẫn điện . Các thông số quan trọng của nó là điện áp u(TO) turn on và điện trở rF(differential forward reristance ) được xác định tại một thời điểm tỉnh nào đó của đặc tính
rF = (1.1)
Nhánh nghịch : tương ứng với trạng thái nghịch, diode không dẫn điện . Các thông số quan trọng của nó là điện trở rR (differential reverse reristance) xác định tai một điểm nào đó của đặc tính V_A,
rR = (1.2)
Và điện áp đánh thủng ở chiều nghịch u(Br) (breaking). Sau khi điện áp vượt quá giá trị u(Br) thì giá trị u¬R giảm đi rất nhiều lần. Giá trị dòng sau đó sẽ phụ thuộc chủ yếu vào điện áp và điện trở mạch có chứa diode trong đó. Nếu như dòng tăng quá lớn diode sẽ bị hỏng.
Các tính chất động
Trong các hiện tượng quá độ của diode , quá trình diode chuyển từ trạng thái dẫn sang trạng thái nghịch có ý nghĩa quan trọng . Hiện tượng này được gọi là ngắt diode hay quá trình chuyển mạch của diode.
Khi dòng thuận đi qua diode tắt nhanh (chẳng hạn 10A/us),quá trình ngắt sẽ không diễn ra theo đặc tính V_A.Quá trình ngắt dòng nhanh có thể theo dõi trên H1.2. Sau khi đóng khóa S, nhánh chứa diode thông đến điện áp chuyển mạch U : U tác động tắt nhanh dòng qua diode .Sau khi dòng điện thuận iF giảm về 0, dòng điện qua diode tắt ngay và tiếp tục dẫn theo chiều ngược lại với tốc độ giảm ban đầu. Sau một thời gian ngắn, khả năng dẫn điện theo chiều nghịch bị mất và dòng điện giảm đột ngột đến giá trị của dòng điện nghịch (nhỏ không đáng kể ) _ diode có khả năng chịu áp nghịch ,điện trở nghịch rR được khôi phục.
Trên H1.2 thời gian trr (reverse recovering ) là thời gian phục hồi tính nghịch .Dòng irr đi qua diode trong thời gian trr là dòng chuyển mạch hay dòng hồi phục
H1.2
Thời gian phục hồi tính nghịch càng lớn nếu như giá trị điện tích chuyển mạch Qr càng lớn . Điện tích Qr của diode được định nghĩa như sau:
Qr = (1.3)
Độ lớn Qr phụ thuộc vào cấu trúc của phiến bán dẫn Si và công nghệ sản xuất nó.Ngoài ra còn phải kể đến các yếu tố khác như độ lớn của dòng điện thuận qua diode , tốc độ giảm dòng điện và nhiệt độ lớp PN. Dòng điện phục hồi khi giảm quá nhanh từ giá trị cực đại irrM sẽ gây ra phản điện áp trên kháng L nối tiếp với diode . Điện áp này kết hợp với áp chuyển mạch sẽ gây ra quá áp khi chuyển mạch . Độ lớn của quá áp uRM có thể được hạn chế bằng bộ lọc RC. Mạch RC tác dụng sau khi phục hồi điện trở nghịch của diode làm cho quá trình tắt dòng qua cảm kháng L diễn ra chậm hơn. Điện trở R tác dụng như thành phần tắt dần trong mạch L.C.U.
Một hệ quả quan trọng là công suất tổn hao khi ngắt diode . Giá trị công suất tức thời này được tích bằng tích của dòng và áp của diode. Trong thời gian điện áp nghịch tăng lên , dòng chuyển mạch đi qua diode lớn .Giá trị công suất tổn hao tức thời vì thế sẽ lớn.
Khả năng chịu tải:
Điện áp định mức : được xác định bởi điện thế nghịch cực đại URRM. Đó là điện áp nghịch lớn nhất có thể lặp lại tuần hoàn trên diode.
Khi thiết kế mạch bảo vệ chống lại quá áp nghịch ngẫu nhiên, ta định mức theo điện thế nghịch không thể lặp lại uRSM. Khi diode làm việc , ta không cho phép xuất hiện áp lớn hơn uRSM.
Dòng điện định mức : khi diode hoạt động phát sinh hao .Tổn hao chủ yếu do dòng thuận gây ra. Tổn hao do dòng nghịch gây ra không đáng kể và công suất tổn hao do quá trình ngắt sẽ có độ lớn đáng kể khi tần số đóng ngắt lớn hơn khoảng 400Hz. Công suất tổn hao tổng không được phép làm nóng mạch diode lên quá nhiệt độ cực đại VjM , nếu không lớp PN sẽ bị phá hỏng. Vì thế diode được làm mát và khả năng chịu dòng của nó bị giới hạn bởi trị trung bình cực đại của dòng thuận iF(AV)M . Đối với từng loại diode và điều kiện làm mát ,các nhà sản xuất thường đưa ra các đặc tính IFAVM =f (Tamb ) ( Tamb là nhiệt độ môi trường ). Đối với những đặc tính khác nhau này , thông số được chọn là hình dạng của dòng qua diode . Giá trị IFAV ứng với nhiệt độ T amb và điều kiện làm mát cho trước và ứng với dạng nữa sớng sin của dòng (50Hz) được gọi là dòng đặc trưng của diode . Khả năng chịu dòng của diode hiện nay khoảng vài ngàn ampere.
Khả năng chịu quá dòng : được cho ở dạng đồ thị quá dòng IFSM = f(t) ,ứng với một giá trị dòng vượt quá mức bình thường , đồ thị cho biết khoảng thời gian mà diode có khả năng chịu được mà không bị hỏng . Giá trị quá dòng cho phép được gọi là dòng thuận cực đại không thể lặp lại được IFSM . Ứng với nhiệt độ ban đầu cho trước của bản bán dẫn và trị của áp nghịch , giá trị IFSM cho biết độ lớn của dòng thuận chịu được trong thời gian xác định.
Một thông số khác ảnh hưởng lên khả năng quá dòng là năng lượng tiêu hao , xác định bằng tích phân theo thời gian của hàm IF bình phương. Lượng năng lượng này tỷ lệ với năng lượng mà bản bán dẫn có khả năng hấp thụ dưới dạng nhiệt trong thời gian qui định ( khoảng 10 ms) mà không bị hỏng. Từ đặc tính IFSM(t) và , ta có thể thiết kế mạch bảo vệ quá dòng cho diode .
Ghép nối tiếp và song song các diode được thực hiện khi khả năng chịu áp và dòng của các diode không đáp ứng được nhu cầu đặt ra .Khi ghép nối tiếp ta cần bảo đảm tính phân bố điện thế đều trên các diode .
Các diode đặt biệt
1 . Schottky diode : độ sụp áp theo chiều thuận thấp (khoảng 0,3 V) .Do đó , nó được sử dụng cho các mạch điện áp thấp .Điện áp ngược chịu được khoảng 50 – 100V
2. Diode phục hồi nhanh : được áp dụng trong các mạch tần số cao . Khả năng chịu áp đến vài ngàn volt và dòng vài trăm ampere ,thời gian phục hồi trr khoảng vài s.
3. Diode tần số công nghiệp : các diode tần số công nghiệp được chế tạo đạt độ sụt áp thấp khi dẫn điện . Hệ quả , tời gian trr tăng lên. Khả năng chịu áp của chúng khoảng vài kilovolt và dòng điện vài kiloampere
1.1.2. SCR (Thyristor)
c)
H1.4 Thyristor (SCR)
Cấu tạo và đặc điểm hoạt động của SCR
- Dùng cho mạch công suất lớn.
- Gồm 4 lớp p,n với 3 cực ngoài Anode (A), Cathode (K), Gate (G).
- Mạch điều khiển được nối giữa cực G và K. Mạch công suất được nối giữa A và K.
- Linh kiện được điều khiển bằng dòng. Xung dòng IG kích đóng SCR.
- Không kích ngắt, dòng qua SCR đang dẫn if bị ngắt khi giá trị dòng này thấp hơn dòng duy trì if < ih =0
- Định mức SCR: áp vài KV, dòng vài KA
Các tính chất và ba trạng thái cơ bản của SCR
- Trạng thái khóa áp nghịch (SCR ngắt)
Nếu transistor bị ngắt , thì anode có thể chịu được điện áp âm so với cathode .
- 544 words x 16 bit của on –chip dữ liệu và DẨM, 16 Kwords x 16 bit của ROM chương trình trên on chip hay flash EEPROM.
- 224 Kwords x 16 bit không gian bộ nhớ địa chỉ cực đại gồm 64 Kwords của không gian chương trình , 64 Kwords của không gian dữ liệu , 64 Kwords của không gian xuất / nhập , 32 Kwords của không gian toàn cục .
* Chương trình điều khiển
- Điều khiển đường dẫn 4 tiêu chuẩn ( 4-level), tám vùng stack.
- Sáu ngắt ngoài : ngắt bảo vệ điều khiển công suất, reset., ngắt ngoài NMI, và ngắt mặt nạ INT1 – INT6.
* Công suất :
- Kỹ thuật CMOS tĩnh
- Bốn chế độ giảm công suất để giảm tiêu dùng công suất .
- Mô phỏng: IEEEStandard 1149 , kiểm tra xử láy giao tiếp cổng với mức mô phỏng quét cơ bản trên on-chip.
- Tốc độ : thờigian chu kỳ lệnh là 50ns (20 Míp), với phần lớn có một chu kì .
* Quản lý sự kiện :
- Mạch điều chế độ rộng xung (PWM)
- Ba bộ định thì đa dụng ( timer genenal purose ) 16 bit với 6 chế độ chọn là chế độ đếm lên liên tục ( continuous up counting ), chế độ đếm lên và đếm xuống liên tục ( continuous up/down counting), chế độ đếm lên xuống có hướng ( director up / down counting) , chỉ đếm lên (single up counting), chế độ đếm lên và xuống đơn ( Single up /down counting) , chế độ giữ và dừng ( hold/stop).
- Ba bộ so sánh toàn phần ( full compare unit ) có khả năng tạo trễ , ba bộ so sánh đơn ( simple compare unit ).
- Bốn bộ chụp ( capture unit ), trong đó hai bộ dùng để giao tiếp với encoder
- Mạch đếm xung vào của encoder QEP.
* Bộ biến đổi analog- digital 10 bit kép ( ADC) .
* 28 chân I/O đa hợp hai chức năng.
* Mô-đun vòng khóa pha PLL (phase –locked loop).
Do Drive thay đổi chính sách, nên một số link cũ yêu cầu duyệt download. các bạn chỉ cần làm theo hướng dẫn.
Password giải nén nếu cần: ket-noi.com | Bấm trực tiếp vào Link để tải:
MỤC LỤC
CHƯƠNG 1 - TỔNG QUAN 1
1.1.Giới thiệu các linh kiện bán dẫn 1
1.1.1. Diode công suất 3
1.1.2. SCR (Thyristor) 7
1.2. Máy điện một chiều 11
1.2.1. Cấu tạo máy điện một chiều 12
1.2.2. Nguyên lý làm việc 13
1.2.3. Từ trường và sức điện động của máy điện một chiều .Từ trường của máy điện một chiều……………………………………………………………………………..14
1.2.4. Công suất điện từ . Mômen điện từ của máy điện một chiều 16
1.2.5.Tia lửa điện trên cổ góp và biện pháp khắc phục 17
1.2.6. Phân loại máy điện một chiều 18
1.2.7. Phân loại động cơ điện một chiều 21
1.3. Bộ chỉnh lưu 25
1.3.1. Các bộ chỉnh lưu điều khiển chứa Diode- quy tắc phân tích mạch chỉnh lưu tổng quát 26
1.3.2. Bộ chỉnh lưu cầu một pha bán phần 27
CHƯƠNG 2 - HỆ TRUYỀN ĐỘNG ĐỘNG CƠ DC –BỘ CHỈNH LƯU CẦU MỘT PHA ĐIỀU KHIỂN BÁN PHẦN 29
2.1. Hệ thống truyền động điện và các phần tử - định nghĩa 29
2.2. Các phương pháp điều khiển tốc độ động cơ DC 32
2.2.1. Các thông số đánh giá chất lượng 32
2.2.2. Đặc tính cơ tĩnh của động cơ một chiều 33
2.3. Khởi động động cơ 40
2.4. Các trạng thái hãm 40
CHƯƠNG 3 - HỆ THỐNG BỘ CHỈNH LƯU-ĐỘNG CƠ MỘT CHIỀU 43
3.1. Các thông số đánh giá chất lượng của hệ 43
3.2. Điện áp ngõ ra bộ chỉnh lưu ở chế độ dòng liên tục 45
3.3. Động cơ kích từ độc lập với bộ chỉnh lưu 46
3.4. Động cơ kích từ nối tiếp hoạt động với bộ chỉnh lưu 48
CHƯƠNG 4 - MÔ PHỎNG BẰNG PHẦN MỀM PSIM 49
CHƯƠNG 5 - THIẾT KẾ PHẦN CỨNG 55
5.1. Mạch kích 55
5.2. Mạch động lực 60
CHƯƠNG 6 - LẬP TRÌNH ĐIỀU KHIỂN 61
6.1. Giới thiệu tóm tắt các đặc trưng của DSP TMS320x240 61
6.2 .Chương trình điều khiển 63
CHƯƠNG 7 - KẾT QUẢ ĐẠT ĐƯỢC 66
CHƯƠNG 1
TỔNG QUAN
1.1.Giới thiệu các linh kiện bán dẫn
Bán dẫn là chất mà trong nhiệt độ bình thường nó có độ dẫn điện giữa chất dẫn điện và chất cách điện. hiện nay bán dẫn thường dùng là silic, silic tinh khiết có cấu trúc tinh thể rất bền vững. Ở nhiệt độ thấp , nó không có các điện tích tự do.Vì thế silic hoạt động như chất cách điện.
Hỗn hợp silic với các nguyên tố khác có ảnh hưởng rất lớn đến độ dẫn điện của silic. Một của hỗn hợp silic chứa thừa điện tích tự do và các điện tích này trở thành hạt dẫn điện, hỗn hợp này tạo thành chất bán dẫn loại N. Một số hỗn hợp của silic thiếu điện tử: chúng có lỗ hổng. Các lỗ hổng tạo thành thành phần dẫn điện chủ yếu. Hỗn hợp loại này tạo thành bán dẫn loại P với độ dẫn điện loại P.
Lớp tiếp xúc PN: là vùng trong bán dẫn mà vùng dẫn điện loại P được chuyển thành loại N.
Đặc tính V-A: biểu diễn quan hệ giữa dòng điện đi qua hai cực của linh kiện và điện áp đặt giữa các cực đó. Các giá trị điện áp và dòng điện này được hiểu là giá trị điện áp và dòng một chiều không đổi.
Phân loại linh kiện bán dẫn theo khả năng điều khiển
Các linh kiện bán dẫn công suất trong lĩnh vực điện tử công suất có hai chức năng cơ bản: đóng và ngắt dòng điện đi qua nó. Trạng thái linh kiện dẫn điện (đóng ) là trạng thái linh kiện có tác dụng như một điện trở rất bé ( gần bằng không). Độ lớn dòng điện đi qua linh kiện phụ thuộc trạng thái mạch điện lúc linh kiện đóng và độ sụt áp trên linh kiện nhỏ không đáng kể ( tối đa khoảng vài volt).
Trạng thái linh kiện không dẫn điện ( ngắt dòng điện) là trạng thái linh kiện có tác dụng trong mạch như một điện trở rất lớn. Dòng điện đi qua linh kiện có độ lớn không đáng kể; độ lớn điện áp đặt lên linh kiện phụ thuộc vào trạng thái hoạt động của mạch điện bên ngoài.
Do đó, linh kiện bán dẫn hoạt động với hai chế độ làm việc đóng và ngắt dòng điện được xem là lý tưởng nếu ở trạng thái dẫn điện nó có độ sụt áp bằng không và ở trạng thái không dẫn điện, dòng điện qua nó bằng không.
Các linh kiện bán dẫn có thể chuyển đổi trạng thái làm việc của mình, từ trạng thái không dẫn điện ( ngắt) sang trạng thái dẫn điện (đóng) và ngược lại thông qua tác dụng kích thích của tín hiệu lên cổng điều khiển ( ngõ vào) của linh kiện. ta gọi linh kiện có tính điều khiển. Tín hiệu điều khiển có thể tồn tại dưới dạng dòng điện, điện áp, ánh sáng với công suất thường nhỏ hơn so với công suất của nguồn và tải.
Trong trường hợp linh kiện không chứa cổng điều khiển và quá trình chuyển trạng thái làm việc của linh kiện xảy ra dưới tác dụng của nguồn công suất ở ngõ ra, ta gọi linh kiện thuộc loại không điều khiển ( diode, diac).
Nếu thông qua cổng điều khiển, tín hiệu chỉ tác động đến chức năng đóng dòng điện mà không thể tác động làm ngắt dòng điện qua nó, ta gọi linh kiện không có khả năng kích ngắt ( thyristor, triac).
Ngược lại, các linh kiện có thể thay đổi trạng thái từ dẫn điện sang ngắt điện và ngược lại thông qua tác dụng của tín hiệu điều khiển, được gọi là linh kiện có khả năng kích ngắt ( self commutated device) như transistor ( BJT, MOSFET, IGBT ) , GTO ( gate-turn-off thyristor ) , IGCT,MCT,MTO.
Tín hiệu điều khiển lên mạch cổng điều khiển chỉ có tác dụng khi trạng thái điện áp đặt vào hai cực chính ở ngõ ra của linh kiện có chiều phân cực và độ lớn phù hợp. Dựa vào chức năng đóng và ngắt dòng điện và theo khả năng điều khiển các chức năng này, các linh kiện bán dẫn được chia làm ba nhóm chính:
- Nhóm 1: gồm các linh kiện không điều khiển như diode, diac
- Nhóm 2: gồm các linh kiện điều khiển kích đóng được như thyristor,triac
- Nhóm 3: gồm các linh kiện điều khiển kích ngắt được như transistor ( BJT,MOSFET,IGBT ) , GTO.
Ngoài ra , dạng mạch phức hợp gồm thyristor và bộ chuyển mạch có khả năng đóng dòng điện cũng như ngắt dòng điện qua nó nhờ tác dụng của tín hiệu điều khiển lên các cổng điều khiển .
Các linh kiện bán dẫn bao gồm: Diode,BJT,IGBT, SCR,GTO,MOFET, DIAC, TRIAC. Trong đồ án này ta sẽ xét các loại bán dẫn công suất lớn như SCR, GTO, TRIAC.( Đặc biệt là thyristor(SCR) dùng để thiết kế bộ chỉnh lưu cầu một pha điều khiển bán phần )
1.1.1. Diode công suất
H 1.1
Mô tả và chức năng:
Diode được cấu tạo thành bởi mối nối PN. Lớp p thiếu điện tử và chứa phần tử mang điện dạng lổ hỏng. Tương tự , lớp n thừa điện tử. Các lớp pn trong cấu trúc diode đạt được bằng cách thêm tạp chất vào trong phiến sillic. Để tạo quá trình dẫn điện đi qua mối nối p_n, các hạt mang điện được tạo thành và tham gia quá trình dẫn điện, một điện áp được áp dụng sao cho lớp p mắc vào cực dương và lớp n mắc vào cực âm Lực điện trường làm cho lỗ hỏng từ lớp p di chuyển vượt qua mối nối p_n để vào lớp n và các điện tử di chuyển từ lớp n vào lớp p.
Trường hợp phân cực ngược lại , các lỗ hỏng và điện tử bị kéo ra xa khỏi mối nối và tạo thành sức điện động bên trong của mối nối. Sức điện động này có tác dụng không cho dòng điện tích đi qua diode _diode bị ngắt.
Chiều thuận và chiều nghịch : nếu như diode ở trạng thái dẫn thì nó chịu tác dụng của điện áp thuận uF và cho dòng điện thuận iF đi qua.
Đặc tính V_A
Đặc tính V_A của diode vẽ ở H 1.1 gồm hai nhánh. Nhánh thuận tương ứng với trạng thái dẫn điện . Các thông số quan trọng của nó là điện áp u(TO) turn on và điện trở rF(differential forward reristance ) được xác định tại một thời điểm tỉnh nào đó của đặc tính
rF = (1.1)
Nhánh nghịch : tương ứng với trạng thái nghịch, diode không dẫn điện . Các thông số quan trọng của nó là điện trở rR (differential reverse reristance) xác định tai một điểm nào đó của đặc tính V_A,
rR = (1.2)
Và điện áp đánh thủng ở chiều nghịch u(Br) (breaking). Sau khi điện áp vượt quá giá trị u(Br) thì giá trị u¬R giảm đi rất nhiều lần. Giá trị dòng sau đó sẽ phụ thuộc chủ yếu vào điện áp và điện trở mạch có chứa diode trong đó. Nếu như dòng tăng quá lớn diode sẽ bị hỏng.
Các tính chất động
Trong các hiện tượng quá độ của diode , quá trình diode chuyển từ trạng thái dẫn sang trạng thái nghịch có ý nghĩa quan trọng . Hiện tượng này được gọi là ngắt diode hay quá trình chuyển mạch của diode.
Khi dòng thuận đi qua diode tắt nhanh (chẳng hạn 10A/us),quá trình ngắt sẽ không diễn ra theo đặc tính V_A.Quá trình ngắt dòng nhanh có thể theo dõi trên H1.2. Sau khi đóng khóa S, nhánh chứa diode thông đến điện áp chuyển mạch U : U tác động tắt nhanh dòng qua diode .Sau khi dòng điện thuận iF giảm về 0, dòng điện qua diode tắt ngay và tiếp tục dẫn theo chiều ngược lại với tốc độ giảm ban đầu. Sau một thời gian ngắn, khả năng dẫn điện theo chiều nghịch bị mất và dòng điện giảm đột ngột đến giá trị của dòng điện nghịch (nhỏ không đáng kể ) _ diode có khả năng chịu áp nghịch ,điện trở nghịch rR được khôi phục.
Trên H1.2 thời gian trr (reverse recovering ) là thời gian phục hồi tính nghịch .Dòng irr đi qua diode trong thời gian trr là dòng chuyển mạch hay dòng hồi phục
H1.2
Thời gian phục hồi tính nghịch càng lớn nếu như giá trị điện tích chuyển mạch Qr càng lớn . Điện tích Qr của diode được định nghĩa như sau:
Qr = (1.3)
Độ lớn Qr phụ thuộc vào cấu trúc của phiến bán dẫn Si và công nghệ sản xuất nó.Ngoài ra còn phải kể đến các yếu tố khác như độ lớn của dòng điện thuận qua diode , tốc độ giảm dòng điện và nhiệt độ lớp PN. Dòng điện phục hồi khi giảm quá nhanh từ giá trị cực đại irrM sẽ gây ra phản điện áp trên kháng L nối tiếp với diode . Điện áp này kết hợp với áp chuyển mạch sẽ gây ra quá áp khi chuyển mạch . Độ lớn của quá áp uRM có thể được hạn chế bằng bộ lọc RC. Mạch RC tác dụng sau khi phục hồi điện trở nghịch của diode làm cho quá trình tắt dòng qua cảm kháng L diễn ra chậm hơn. Điện trở R tác dụng như thành phần tắt dần trong mạch L.C.U.
Một hệ quả quan trọng là công suất tổn hao khi ngắt diode . Giá trị công suất tức thời này được tích bằng tích của dòng và áp của diode. Trong thời gian điện áp nghịch tăng lên , dòng chuyển mạch đi qua diode lớn .Giá trị công suất tổn hao tức thời vì thế sẽ lớn.
Khả năng chịu tải:
Điện áp định mức : được xác định bởi điện thế nghịch cực đại URRM. Đó là điện áp nghịch lớn nhất có thể lặp lại tuần hoàn trên diode.
Khi thiết kế mạch bảo vệ chống lại quá áp nghịch ngẫu nhiên, ta định mức theo điện thế nghịch không thể lặp lại uRSM. Khi diode làm việc , ta không cho phép xuất hiện áp lớn hơn uRSM.
Dòng điện định mức : khi diode hoạt động phát sinh hao .Tổn hao chủ yếu do dòng thuận gây ra. Tổn hao do dòng nghịch gây ra không đáng kể và công suất tổn hao do quá trình ngắt sẽ có độ lớn đáng kể khi tần số đóng ngắt lớn hơn khoảng 400Hz. Công suất tổn hao tổng không được phép làm nóng mạch diode lên quá nhiệt độ cực đại VjM , nếu không lớp PN sẽ bị phá hỏng. Vì thế diode được làm mát và khả năng chịu dòng của nó bị giới hạn bởi trị trung bình cực đại của dòng thuận iF(AV)M . Đối với từng loại diode và điều kiện làm mát ,các nhà sản xuất thường đưa ra các đặc tính IFAVM =f (Tamb ) ( Tamb là nhiệt độ môi trường ). Đối với những đặc tính khác nhau này , thông số được chọn là hình dạng của dòng qua diode . Giá trị IFAV ứng với nhiệt độ T amb và điều kiện làm mát cho trước và ứng với dạng nữa sớng sin của dòng (50Hz) được gọi là dòng đặc trưng của diode . Khả năng chịu dòng của diode hiện nay khoảng vài ngàn ampere.
Khả năng chịu quá dòng : được cho ở dạng đồ thị quá dòng IFSM = f(t) ,ứng với một giá trị dòng vượt quá mức bình thường , đồ thị cho biết khoảng thời gian mà diode có khả năng chịu được mà không bị hỏng . Giá trị quá dòng cho phép được gọi là dòng thuận cực đại không thể lặp lại được IFSM . Ứng với nhiệt độ ban đầu cho trước của bản bán dẫn và trị của áp nghịch , giá trị IFSM cho biết độ lớn của dòng thuận chịu được trong thời gian xác định.
Một thông số khác ảnh hưởng lên khả năng quá dòng là năng lượng tiêu hao , xác định bằng tích phân theo thời gian của hàm IF bình phương. Lượng năng lượng này tỷ lệ với năng lượng mà bản bán dẫn có khả năng hấp thụ dưới dạng nhiệt trong thời gian qui định ( khoảng 10 ms) mà không bị hỏng. Từ đặc tính IFSM(t) và , ta có thể thiết kế mạch bảo vệ quá dòng cho diode .
Ghép nối tiếp và song song các diode được thực hiện khi khả năng chịu áp và dòng của các diode không đáp ứng được nhu cầu đặt ra .Khi ghép nối tiếp ta cần bảo đảm tính phân bố điện thế đều trên các diode .
Các diode đặt biệt
1 . Schottky diode : độ sụp áp theo chiều thuận thấp (khoảng 0,3 V) .Do đó , nó được sử dụng cho các mạch điện áp thấp .Điện áp ngược chịu được khoảng 50 – 100V
2. Diode phục hồi nhanh : được áp dụng trong các mạch tần số cao . Khả năng chịu áp đến vài ngàn volt và dòng vài trăm ampere ,thời gian phục hồi trr khoảng vài s.
3. Diode tần số công nghiệp : các diode tần số công nghiệp được chế tạo đạt độ sụt áp thấp khi dẫn điện . Hệ quả , tời gian trr tăng lên. Khả năng chịu áp của chúng khoảng vài kilovolt và dòng điện vài kiloampere
1.1.2. SCR (Thyristor)
c)
H1.4 Thyristor (SCR)
Cấu tạo và đặc điểm hoạt động của SCR
- Dùng cho mạch công suất lớn.
- Gồm 4 lớp p,n với 3 cực ngoài Anode (A), Cathode (K), Gate (G).
- Mạch điều khiển được nối giữa cực G và K. Mạch công suất được nối giữa A và K.
- Linh kiện được điều khiển bằng dòng. Xung dòng IG kích đóng SCR.
- Không kích ngắt, dòng qua SCR đang dẫn if bị ngắt khi giá trị dòng này thấp hơn dòng duy trì if < ih =0
- Định mức SCR: áp vài KV, dòng vài KA
Các tính chất và ba trạng thái cơ bản của SCR
- Trạng thái khóa áp nghịch (SCR ngắt)
Nếu transistor bị ngắt , thì anode có thể chịu được điện áp âm so với cathode .
- 544 words x 16 bit của on –chip dữ liệu và DẨM, 16 Kwords x 16 bit của ROM chương trình trên on chip hay flash EEPROM.
- 224 Kwords x 16 bit không gian bộ nhớ địa chỉ cực đại gồm 64 Kwords của không gian chương trình , 64 Kwords của không gian dữ liệu , 64 Kwords của không gian xuất / nhập , 32 Kwords của không gian toàn cục .
* Chương trình điều khiển
- Điều khiển đường dẫn 4 tiêu chuẩn ( 4-level), tám vùng stack.
- Sáu ngắt ngoài : ngắt bảo vệ điều khiển công suất, reset., ngắt ngoài NMI, và ngắt mặt nạ INT1 – INT6.
* Công suất :
- Kỹ thuật CMOS tĩnh
- Bốn chế độ giảm công suất để giảm tiêu dùng công suất .
- Mô phỏng: IEEEStandard 1149 , kiểm tra xử láy giao tiếp cổng với mức mô phỏng quét cơ bản trên on-chip.
- Tốc độ : thờigian chu kỳ lệnh là 50ns (20 Míp), với phần lớn có một chu kì .
* Quản lý sự kiện :
- Mạch điều chế độ rộng xung (PWM)
- Ba bộ định thì đa dụng ( timer genenal purose ) 16 bit với 6 chế độ chọn là chế độ đếm lên liên tục ( continuous up counting ), chế độ đếm lên và đếm xuống liên tục ( continuous up/down counting), chế độ đếm lên xuống có hướng ( director up / down counting) , chỉ đếm lên (single up counting), chế độ đếm lên và xuống đơn ( Single up /down counting) , chế độ giữ và dừng ( hold/stop).
- Ba bộ so sánh toàn phần ( full compare unit ) có khả năng tạo trễ , ba bộ so sánh đơn ( simple compare unit ).
- Bốn bộ chụp ( capture unit ), trong đó hai bộ dùng để giao tiếp với encoder
- Mạch đếm xung vào của encoder QEP.
* Bộ biến đổi analog- digital 10 bit kép ( ADC) .
* 28 chân I/O đa hợp hai chức năng.
* Mô-đun vòng khóa pha PLL (phase –locked loop).
Do Drive thay đổi chính sách, nên một số link cũ yêu cầu duyệt download. các bạn chỉ cần làm theo hướng dẫn.
Password giải nén nếu cần: ket-noi.com | Bấm trực tiếp vào Link để tải:
You must be registered for see links
Tags: nối diode làm chinh luu
Last edited by a moderator: