Link tải luận văn miễn phí cho ae Kết Nối
Chương 1. Nối pn
Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Ket-noi.com kho tai lieu mien phiMẫu nguyên tử Si14 (theo BOHR)
+P
N
n=2
electron -
n=1 n=3Hình 1
Có cấu tạo bền
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Tuy nhiên,dưới tác dụng nhiệt (hay ánh sáng,
điện trường…), một số điện tử nhận được
năng lượng đủ lớn hơn năng lượng liên kết
cộng hoá trị ( năng lượng ion hoá 1.12 eV đối
với Si và 0,6 eV đối với Ge) nên có thể bức
khỏi sự ràng buộc nói trên để trở thành điện
tử tự do và dễ dàng di chuyển trong mạng
tinh thể Ỉ Si trở nên dẫn điện.
Khi có 1 điện tử rời khỏi vị trí sẽ để lại tại đó
một lỗ trống mang điện tích dươngỈ các lỗ
trống di chuyển ngược chiều với điện tử tự
do.
Hiện tượng trên được gọi là hiện tượng sinh
tạo nhiệt cặp điện tử tự do – lỗ trống.-
+
Sinh tạo cặp điện tử tự do - lỗ trống
Hình 2
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Hình vẽ sau đây diễn tả hình ảnh nói trên
chiều di chuyển của điện tử tự do
chiều di chuyển của lỗ trống Khi có 1 điện tử đến chiếm chổ lỗ trống làm trung
hoà về điện tích và tái tạo lại nối liên kết cộng hoá
trị đựợc gọi là hiện tượng tái hợp cặp điện tử tự
do – lỗ trống.
Ở nhiệt độ cố định ta có sự cân bằng giữa hiện
tượng sinh tạo và tái hợp cặp điện tử tự do -lỗ
trống, hay:
n
i = pi và
với:
n
i mật độ điện tử tự do trong chất bán dẫn thuần
pi mật độ lỗ trống trong chất bán dẫn thuần.
2
n n i i p i =
Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Lý thuyết bán dẫn cho :
trong đó:
A là hằng số tuỳ từng trường hợp chất bán dẫn
T nhiệt độ tuyệt đối (Kelvin) oK bằng toC + 273oC
Eg năng lượng cần thiết để bẽ gảy nối cọng hoá trị
eV = 1,6. 10-19 J
k hằng số Bolztman = 1,38.10-23J/oK=8,8510-5eV/oK
q=1,6.10-19C, điện tích của điện tử .
Ở 300oK, ni =1,5.1010/ cm3 ( Si)
= 2,5.1010/cm3 ( Ge)
nhưng rất nhỏ so với mật độ nguyên tử trong mạng tinh thể
= 5.1022/cm3, nên chất bán dẫn thuần dẫn đ
• Khi cho VGS = 0V và thay đổi VDS
¾ Lý luận tương tự như EMOSFET
,nhưng vì DMOSFET cĩ kênh cho sẳn nên
khi cho VDS nhõ và ngay cả khi VGS=0V
các điện tử tự do dễ dàng di chuyển từ S
đến D qua kênh n cĩ sẳn, MOSFET dẫn .
¾ Khi V
DS tăng đến trị số lớn nhất định
nào đĩ thì vùng hiếm ở cực D sẽ lan rộng
làm nghẽn kênh cho sẳn Ỉ dịng ID tăng
đến trị bão hồ IDSS , và điện thế thốt
nguồn được gọi là điện thế nghẽn Vp như
ở JFET.
Ta xét 2 cụ thể trường hợp sau:
Do Drive thay đổi chính sách, nên một số link cũ yêu cầu duyệt download. các bạn chỉ cần làm theo hướng dẫn.
Password giải nén nếu cần: ket-noi.com | Bấm trực tiếp vào Link để tải:
Chương 1. Nối pn
Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Ket-noi.com kho tai lieu mien phiMẫu nguyên tử Si14 (theo BOHR)
+P
N
n=2
electron -
n=1 n=3Hình 1
Có cấu tạo bền
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Tuy nhiên,dưới tác dụng nhiệt (hay ánh sáng,
điện trường…), một số điện tử nhận được
năng lượng đủ lớn hơn năng lượng liên kết
cộng hoá trị ( năng lượng ion hoá 1.12 eV đối
với Si và 0,6 eV đối với Ge) nên có thể bức
khỏi sự ràng buộc nói trên để trở thành điện
tử tự do và dễ dàng di chuyển trong mạng
tinh thể Ỉ Si trở nên dẫn điện.
Khi có 1 điện tử rời khỏi vị trí sẽ để lại tại đó
một lỗ trống mang điện tích dươngỈ các lỗ
trống di chuyển ngược chiều với điện tử tự
do.
Hiện tượng trên được gọi là hiện tượng sinh
tạo nhiệt cặp điện tử tự do – lỗ trống.-
+
Sinh tạo cặp điện tử tự do - lỗ trống
Hình 2
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Hình vẽ sau đây diễn tả hình ảnh nói trên
chiều di chuyển của điện tử tự do
chiều di chuyển của lỗ trống Khi có 1 điện tử đến chiếm chổ lỗ trống làm trung
hoà về điện tích và tái tạo lại nối liên kết cộng hoá
trị đựợc gọi là hiện tượng tái hợp cặp điện tử tự
do – lỗ trống.
Ở nhiệt độ cố định ta có sự cân bằng giữa hiện
tượng sinh tạo và tái hợp cặp điện tử tự do -lỗ
trống, hay:
n
i = pi và
với:
n
i mật độ điện tử tự do trong chất bán dẫn thuần
pi mật độ lỗ trống trong chất bán dẫn thuần.
2
n n i i p i =
Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Ket-noi.com kho tai lieu mien phi Lý thuyết bán dẫn cho :
trong đó:
A là hằng số tuỳ từng trường hợp chất bán dẫn
T nhiệt độ tuyệt đối (Kelvin) oK bằng toC + 273oC
Eg năng lượng cần thiết để bẽ gảy nối cọng hoá trị
eV = 1,6. 10-19 J
k hằng số Bolztman = 1,38.10-23J/oK=8,8510-5eV/oK
q=1,6.10-19C, điện tích của điện tử .
Ở 300oK, ni =1,5.1010/ cm3 ( Si)
= 2,5.1010/cm3 ( Ge)
nhưng rất nhỏ so với mật độ nguyên tử trong mạng tinh thể
= 5.1022/cm3, nên chất bán dẫn thuần dẫn đ
• Khi cho VGS = 0V và thay đổi VDS
¾ Lý luận tương tự như EMOSFET
,nhưng vì DMOSFET cĩ kênh cho sẳn nên
khi cho VDS nhõ và ngay cả khi VGS=0V
các điện tử tự do dễ dàng di chuyển từ S
đến D qua kênh n cĩ sẳn, MOSFET dẫn .
¾ Khi V
DS tăng đến trị số lớn nhất định
nào đĩ thì vùng hiếm ở cực D sẽ lan rộng
làm nghẽn kênh cho sẳn Ỉ dịng ID tăng
đến trị bão hồ IDSS , và điện thế thốt
nguồn được gọi là điện thế nghẽn Vp như
ở JFET.
Ta xét 2 cụ thể trường hợp sau:
Do Drive thay đổi chính sách, nên một số link cũ yêu cầu duyệt download. các bạn chỉ cần làm theo hướng dẫn.
Password giải nén nếu cần: ket-noi.com | Bấm trực tiếp vào Link để tải:
You must be registered for see links
Last edited by a moderator: