herotroy1015
New Member
Link tải luận văn miễn phí cho ae Kết Nối
Chương 10: Phân cực tranzito bằng dòng
emitơ
(tự phân cực)
Mạch phân cực tranzito bằng dòng emitơ có dạng như hình
2.42. Điện R1, R2 tạo thành một bộ phân áp cố định tạo UB đặt
vào Bazơ tranzito từ điện áp nguồn ECC. Điện trở RE mắc nối
tiếp với cực emitơ của tranzito có điện áp rơi trên nó là UE =
IERE
Vậy: IE = (UB – UBE)/RE
(2-76) Nếu thỏa mãn điều kiện UB ≥ UBE thì IE ≈ UBE/RE
(2-77) và rất ổn định.Để tiện cho việc phân tích tiếp theo có
thể vẽ sơ đồ tương đương
của hình 2.42 như hình 2.43 bằng cách áp dụng định lý Tevenin
trong đó :
Để phân cực MOSFET người ta đặt 1 điện áp UDS > 0. Cần
phân biệt hai trường hợp:
Với loại kênh đặt sẵn, xuất hiện dòng điện tử trên kênh dẫn
nối giữa S và D và trong mạch ngoài có dòng cực máng ID
(chiều đi vào cực D), ngay cả khi chưa có điện áp đặt vào cực
cửa (UGS = 0).
Nếu đặt lên cực cửa điện áp UGS > 0, điện tử tự do có trong
vùng đế (là hạt thiểu số) được hút vào vùng kênh dẫn đối diện
với cực cửa làm giầu hạt dẫn cho kênh, tức là làm giảm điện trở
của kênh, do đó làm tăng dòng cực máng ID. Chế độ làm việc
này được gọi là chế độ giầu của MOSFET.
Trước khi phân tích hãy chú ý là điện áp UBE trong trường
hợp phân cực này không thể bỏ qua như những trường hợp
khác. Trong quá trình làm việc chuyển tiếp emitơ luôn phân cực
thuận cho nên tổng điện áp một chiều ở đầu vào của mạch này
là UB. Trong hầu hết các trường hợp UB nhỏ hơn ECC nhiều
lần. Trước đây có thể bỏ qua UBE vì nó quá nhỏ so với ECC ,
nhưng trong trường hợp này UBE độ lớn vào cỡ UB cho nên
không thể bỏ qua được. Số hạng cuối cùng trong (2-81) chứa
ICO thường được bỏ qua vì trong thực tế dòng ngược rất nhỏ
(với tranzito silic dòng này chỉ có vài nano ampe ).
Cũng từ sơ đồ tương đương hình 2.43 có điện áp giữa emitơ
và đất bằng IE. RE. Dòng emitơ IE = IC + IB = (h21e +1)IB (bỏ
qua được dòng ngược ICO). Như vậy điện áp giữa emitơ và đất
có thể viết UE = (h21e +1)IB.RE. Đại lượng (h21e +1) là đại
lượng không thứ nguyên nên có thể liên hệ với IB tạo thành dòng
(h21e + 1) hay liên hợp với RE tạo thành điện trở (h21e +1)IB.
Nếu quan niệm như vậy thì có thể nói rằng điện áp giữa emitơ
và đất là điện áp do dòng (h21e +1)IB rơi trên điện trở RE hay do
dòng IB rơi trên điện trở (h21e+1)RE.
Nếu thành phần điện áp gây ra bởi ICO trong biểu thức (2-
81) có thể bỏ qua thì biểu thức này có thể minh họa bằng sơ đồ
tương đương hình 2.44. Ở đây điện trở RE - trong nhánh emitơ
biến thành điện trở (h21e +1)RE trong mạch bazơ. Một cách
tổng quát, bất kỳ một điện kháng nào trong mạch emitơ đều có
thể biến đổi sang mạch bazơ bằng cách nhân nó với (h21e +1).
Từ hình 2.44 và biểu thức (2-81) có thể tìm thấy dòng bazơ tại
điểm phân cực.
Do Drive thay đổi chính sách, nên một số link cũ yêu cầu duyệt download. các bạn chỉ cần làm theo hướng dẫn.
Password giải nén nếu cần: ket-noi.com | Bấm trực tiếp vào Link để tải:
Chương 10: Phân cực tranzito bằng dòng
emitơ
(tự phân cực)
Mạch phân cực tranzito bằng dòng emitơ có dạng như hình
2.42. Điện R1, R2 tạo thành một bộ phân áp cố định tạo UB đặt
vào Bazơ tranzito từ điện áp nguồn ECC. Điện trở RE mắc nối
tiếp với cực emitơ của tranzito có điện áp rơi trên nó là UE =
IERE
Vậy: IE = (UB – UBE)/RE
(2-76) Nếu thỏa mãn điều kiện UB ≥ UBE thì IE ≈ UBE/RE
(2-77) và rất ổn định.Để tiện cho việc phân tích tiếp theo có
thể vẽ sơ đồ tương đương
của hình 2.42 như hình 2.43 bằng cách áp dụng định lý Tevenin
trong đó :
Để phân cực MOSFET người ta đặt 1 điện áp UDS > 0. Cần
phân biệt hai trường hợp:
Với loại kênh đặt sẵn, xuất hiện dòng điện tử trên kênh dẫn
nối giữa S và D và trong mạch ngoài có dòng cực máng ID
(chiều đi vào cực D), ngay cả khi chưa có điện áp đặt vào cực
cửa (UGS = 0).
Nếu đặt lên cực cửa điện áp UGS > 0, điện tử tự do có trong
vùng đế (là hạt thiểu số) được hút vào vùng kênh dẫn đối diện
với cực cửa làm giầu hạt dẫn cho kênh, tức là làm giảm điện trở
của kênh, do đó làm tăng dòng cực máng ID. Chế độ làm việc
này được gọi là chế độ giầu của MOSFET.
Trước khi phân tích hãy chú ý là điện áp UBE trong trường
hợp phân cực này không thể bỏ qua như những trường hợp
khác. Trong quá trình làm việc chuyển tiếp emitơ luôn phân cực
thuận cho nên tổng điện áp một chiều ở đầu vào của mạch này
là UB. Trong hầu hết các trường hợp UB nhỏ hơn ECC nhiều
lần. Trước đây có thể bỏ qua UBE vì nó quá nhỏ so với ECC ,
nhưng trong trường hợp này UBE độ lớn vào cỡ UB cho nên
không thể bỏ qua được. Số hạng cuối cùng trong (2-81) chứa
ICO thường được bỏ qua vì trong thực tế dòng ngược rất nhỏ
(với tranzito silic dòng này chỉ có vài nano ampe ).
Cũng từ sơ đồ tương đương hình 2.43 có điện áp giữa emitơ
và đất bằng IE. RE. Dòng emitơ IE = IC + IB = (h21e +1)IB (bỏ
qua được dòng ngược ICO). Như vậy điện áp giữa emitơ và đất
có thể viết UE = (h21e +1)IB.RE. Đại lượng (h21e +1) là đại
lượng không thứ nguyên nên có thể liên hệ với IB tạo thành dòng
(h21e + 1) hay liên hợp với RE tạo thành điện trở (h21e +1)IB.
Nếu quan niệm như vậy thì có thể nói rằng điện áp giữa emitơ
và đất là điện áp do dòng (h21e +1)IB rơi trên điện trở RE hay do
dòng IB rơi trên điện trở (h21e+1)RE.
Nếu thành phần điện áp gây ra bởi ICO trong biểu thức (2-
81) có thể bỏ qua thì biểu thức này có thể minh họa bằng sơ đồ
tương đương hình 2.44. Ở đây điện trở RE - trong nhánh emitơ
biến thành điện trở (h21e +1)RE trong mạch bazơ. Một cách
tổng quát, bất kỳ một điện kháng nào trong mạch emitơ đều có
thể biến đổi sang mạch bazơ bằng cách nhân nó với (h21e +1).
Từ hình 2.44 và biểu thức (2-81) có thể tìm thấy dòng bazơ tại
điểm phân cực.
Do Drive thay đổi chính sách, nên một số link cũ yêu cầu duyệt download. các bạn chỉ cần làm theo hướng dẫn.
Password giải nén nếu cần: ket-noi.com | Bấm trực tiếp vào Link để tải:
You must be registered for see links
Last edited by a moderator: